Samsung hat einen ersten funktionsfähigen Prototypen eines “Phase-change Random Access Memory”-Moduls (PRAM) gefertigt. Der Stein hat vorerst 512MBit und soll eine 30 fache Geschwindigkeit von den heutigen NOR-Flash RAMs bringen.

Weil die Speicherparzellen sich gegenseitig nicht stören lässt sich der Chip fast beliebig skalieren. In ihm sollen die besten Eigenschaften von NOR-Flash und der neuen Technik zusammengeflossen sein. Auch interessant: PRAM ist nicht flüchtig. Wenn also einmal die Sicherung rausfliegt und der Computer abschmiert, würde er sich – bei entsprechend angepasstem Betriebssystem – wieder einschalten und wäre sofort wieder betriebsbereit. Etwas ähnliches gibt es schon mit dem “Ruhezustand”, hierbei wird aber momentan noch das RAM auf die Festplatte geschrieben. Samsung gibt die zehnfache Lebensdauer seines PRAM gegenüber NOR-Flash an und übersetzt PRAM auch selber mit “Perfect RAM”.

Vorraussichtlich 2008 will Samsung mit PRAM dem normalem Flash Konkurzenz machen. Die Speicherbausteine sind mit einer Größe von 0,0467 Quadratmikrometern nur halb so groß, wie die von normalem Flash. Auch die Herstellung soll um 20% weniger Prozessschritte bringen. Alles in allem positiv. Ich habe nichts Schlechtes daran gefunden…

Das PRAMDas ist Technologie von morgen. Das ist High-Tech. Samsung hofft auch auf einen deutlichen Geschwindigkeitschub, wenn das PRAM in Mobiltelefonen eingebaut wird. Ich denke, es wird im PC-Bereich eine der größten Innovationen in den nächsten Jahren sein, zusammen mit Multicore CPUs und CPUs, die ihre Kraft direkt mit der Grafikkarte bündeln.